MOS管是金屬、氧化物、半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。
（1）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)
（5）場效應管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
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